摘要： 在稀薄(bo)氧壓(ya)下，用電子束蒸發的(de)方法在鋁(lv)酸(suan)鑭(LaAlO)基片上沉積制備納(na)尺度的(de)銅薄(bo)膜。

基于超微量天平對沉積質量(liang)的(de)精確測量(liang)，以及ICP-AES對薄(bo)膜中金屬(shu)元素的(de)準確分析(xi)，研究了基片(pian)(pian)溫度和氧分壓對銅原子在(zai)鋁酸鑭基片(pian)(pian)表(biao)面吸附(fu)系數的(de)影響。

銅表面氧化(hua)的理論(lun)分析和模(mo)型

同(tong)時(shi)，用(yong)超微量(liang)天平精確(que)測量(liang)沉積(ji)薄膜(mo)的(de)總質(zhi)量(liang)，并用(yong)ICP-AES分析薄膜(mo)中銅元素的(de)質(zhi)量(liang)，進而確(que)定了納尺度銅薄膜(mo)的(de)氧(yang)化程度，通過改變氧(yang)分壓和(he)基(ji)(ji)片溫度，獲得了銅薄膜(mo)的(de)氧(yang)化程度與(yu)氧(yang)分壓和(he)基(ji)(ji)片溫度之(zhi)間(jian)的(de)關系(xi)。

用XRD分析了(le)薄膜(mo)結構(gou)，用SEM觀(guan)察了(le)薄膜(mo)表(biao)面形貌，這些研究結果為三(san)源共蒸發原位(wei)制備YBCO薄膜(mo)中基片(pian)溫度(du)和氧分壓的(de)選擇提(ti)供了(le)依據。